点击图片查看原图通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。 对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。
在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。
当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，
称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，
从几十伏到几千伏。
二极管的反向击穿
MCD72-16IO1B
MCD94-20IO1B
MCD94-22IO1B
MCD95-14IO1B
MCD95-16IO1B
MCD95-12IO1B
MCD95-18IO1B
MCD132-08IO1
MCD132-12IO1
MCD132-14IO1
MCD132-16IO1 .
MCD132-18IO1
MCD161-20IO1
MCD161-22IO1
MCD162-08io1
MCD162-12io1
MCD162-14io1
MCD162-16io1
MCD162-18io1
MCD200-12io1
MCD200-14io1
MCD200-16io1
MCD200-18io1
MCD224-20io1
MCD224-22io1
MCD220-08io1
MCD220-12io1
MCD220-14io1
MCD220-16io1
MCD220-18io1
MCD225-12io1
MCD225-14io1
MCD225-16io1
MCD225-18io1
MCD250-08io1
MCD250-12io1
MCD250-14io1
MCD250-16io1
型号 (2 单元 1200/1700V) IGBT 技术指标 型号 (2 单元 1200/1700V) IGBT 技术指标
SKM 50GB 123D 50A/1200V/2U SKM 145GAL 123D(124D) 145A/1200V/2U
SKM 75GB 123D(124D) 75A/1200V/2U SKM 150GAL 123D 150A/1200V/2U
SKM 100GB123D(124D) 100A/1200V/2U S
MCD250-16io1德国可控硅